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【環(huán)球速看料】65W 以上快充新突破，世界先進公司 0.35 微米 650V 氮化鎵制程量產

來源：IT果微網 ? 2022-11-23 18:33:31


(資料圖)

世界先進公司宣布，其領先的八英寸 0.35 微米 650V 的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產品系統(tǒng)及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊集成電路制造服務領域首家量產此技術的公司。

2018 年，世界先進公司以 Qromis 基板技術（簡稱 QST TM）進行八寸 QST 基板的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程開發(fā)，于今年第一季開發(fā)完成，于第四季成功量產，世界先進公司同時已和整合元件制造（IDM）廠及 IC 設計公司展開合作。

QST 基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實現量產。世界先進公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能與公司既有的八寸矽晶圓機臺設備在開發(fā)與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統(tǒng)驗證結果，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場的應用上，針對 65W 以上的快充產品，其系統(tǒng)效率已達世界領先的水準。此外，基于 QST 基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓具有更優(yōu)良的散熱表現。

IT之家了解到，世界先進公司營運長尉濟時博士表示：“世界先進公司身為特殊積體電路制造服務的領導廠商，不斷精進制程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具備效能及可靠性優(yōu)勢，不僅提供客戶更優(yōu)化的積體電路設計選擇，亦協助提升客戶產品的競爭力?！?/p>

世界先進公司 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程除了 650V 的元件選擇之外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。此外，該制程除具備更優(yōu)異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過 1000V）的擴充性，世界先進公司也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。

標簽： 產品需求 靜電保護 系統(tǒng)驗證

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