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全新20TB機(jī)械硬盤:首次集成UFS閃存 性能大增!

機(jī)械硬盤要想保持競爭力,除了保持價(jià)格和可靠性優(yōu)勢,還要在容量、性能方面尋求突破。第一大硬盤廠商希捷的方案是HAMR(熱輔助磁記錄)和多讀寫臂技術(shù),號稱已經(jīng)一眼望到了100TB。

在本周舉辦的重新想象機(jī)械硬盤的活動中,西數(shù)正式宣布了業(yè)內(nèi)首款集成iNAND閃存芯片的20TB機(jī)械硬盤新品,采用了獨(dú)家的OptiNAND架構(gòu)技術(shù)。

iNAND閃存芯片并不是緩存,而是用于存儲元數(shù)據(jù),減少鄰軌干擾的刷新時(shí)間,一方面可以提高盤片存儲密度,一方面也提升了性能。

據(jù)悉,這款20TB機(jī)械硬盤采用9碟氦氣封裝,單碟2.2TB,ePMR(能量輔助垂直磁記錄)技術(shù)。此外,還有三級讀寫臂以更加精準(zhǔn)地執(zhí)行讀寫操作。

西數(shù)稱,OptiNAND并非混合架構(gòu)硬盤,而是一種更創(chuàng)新的體系,此前的硬盤在緊急斷電時(shí)DRAM里的緩存數(shù)據(jù)無法保存或最多2MB,而OptiNAND則提高50倍到100MB。

遺憾的是,西數(shù)并沒有給出明確的讀寫性能數(shù)據(jù),但強(qiáng)調(diào)iNAND UFS閃存(3D TLC)的加入,改善了突發(fā)型隨機(jī)讀寫表現(xiàn)。

OptiNAND機(jī)械硬盤最快年底交付,初期主要面向大客戶,即數(shù)據(jù)中心、云存儲、NAS等領(lǐng)域。西數(shù)稱,5~10年后將交付50TB的OptiNAND機(jī)械硬盤。