今天，Intel發(fā)布了公司有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新。

除了公布其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu)RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外，Intel還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術(shù)的計劃，即高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV。

據(jù)悉，Intel有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機(jī)。

Intel CEO帕特·基辛格表示，基于Intel在先進(jìn)封裝領(lǐng)域毋庸置疑的領(lǐng)先性，我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖，以確保到2025年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。

Intel正利用我們無可比擬的持續(xù)創(chuàng)新的動力，實現(xiàn)從晶體管到系統(tǒng)層面的全面技術(shù)進(jìn)步。在窮盡元素周期表之前，我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步，并持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新。

Intel技術(shù)專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節(jié)點命名和實現(xiàn)每個制程節(jié)點的創(chuàng)新技術(shù)：基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產(chǎn)品將會采Intel 7工藝，之后是面向數(shù)據(jù)中心的Sapphire Rapids預(yù)計將于2022年第一季度投產(chǎn)。

Intel 4完全采用EUV光刻技術(shù)，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn)，Intel 4將在2022年下半年投產(chǎn)，并于2023年出貨，這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。

Intel 3憑借FinFET的進(jìn)一步優(yōu)化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現(xiàn)約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進(jìn)。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。

Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。Intel 20A預(yù)計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A制程工藝技術(shù)上，與高通公司進(jìn)行合作。

2025年及更遠(yuǎn)的未來：從Intel 20A更進(jìn)一步的Intel 18A節(jié)點也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進(jìn)行改進(jìn)，在晶體管性能上實現(xiàn)又一次重大飛躍。

Intel還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機(jī)。Intel正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當(dāng)前一代EUV。

Intel高級副總裁兼技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher博士表示：“Intel有著悠久的制程工藝基礎(chǔ)性創(chuàng)新的歷史，這些創(chuàng)新均驅(qū)動了行業(yè)的飛躍。我們引領(lǐng)了從90 nm應(yīng)變硅向45 nm高K金屬柵極的過渡，并在22 nm時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創(chuàng)性技術(shù)，Intel 20A將成為制程技術(shù)的另一個分水嶺。”